化合物半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580013077.1

申请日：

2005-04-27

公开(公告)号：

CN100413106C

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

宇田川隆

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583048927 IPC(主分类):H01L 33/00 专利号:ZL2005800130771 申请日:20050427 授权公告日:20080820 终止日期:20130427
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-11	公开	公开
2008-08-20	授权	授权

共 50 条

[1]

化合物半导体发光器件 [P].

小野善伸 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN101010812A ,2007-08-01

[2]

氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1744337A ,2006-03-08

[3]

氮化物半导体发光器件和半导体发光器件 [P].

神川刚 ;

麦华路巴武吕 ;

伊藤茂稔 .

中国专利 :CN102144342A ,2011-08-03

[4]

Ⅲ族氮化物基化合物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

矢岛孝义 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN101355129A ,2009-01-28

[5]

氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法 [P].

幡俊雄 .

中国专利 :CN1787247A ,2006-06-14

[6]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[7]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[8]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101699637A ,2010-04-28

[9]

化合物半导体发光器件及其制备方法 [P].

三浦祥纪 ;

松原秀树 ;

松岛政人 ;

关寿 ;

纐缬明伯 .

中国专利 :CN1082255C ,1996-12-11

[10]

化合物半导体发光器件及其制造方法 [P].

竹内良一 ;

锅仓互 ;

宇田川隆 .

中国专利 :CN100413104C ,2007-04-11

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