化合物半导体发光器件及其制备方法

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专利类型
发明
申请号
CN96104423.3
申请日
1996-03-27
公开(公告)号
CN1082255C
公开(公告)日
1996-12-11
发明(设计)人
三浦祥纪 松原秀树 松岛政人 关寿 纐缬明伯
申请人
申请人地址
日本大阪府
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
董江雄;萧掬昌
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
化合物半导体发光器件 [P]. 
宇田川隆 .
中国专利 :CN100413106C ,2007-04-11
[2]
化合物半导体发光器件 [P]. 
小野善伸 ;
山中贞则 .
中国专利 :CN101010812A ,2007-08-01
[3]
化合物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
竹内良一 ;
锅仓互 ;
宇田川隆 .
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[4]
Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法 [P]. 
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[5]
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[6]
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大泽弘 .
中国专利 :CN101258614A ,2008-09-03
[7]
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中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06
[8]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
三木久幸 ;
篠原裕直 ;
龟井宏二 .
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[9]
氮化镓基化合物半导体发光器件 [P]. 
龟井宏二 .
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[10]
氮化物基化合物半导体发光器件 [P]. 
幡俊雄 .
中国专利 :CN1744337A ,2006-03-08