将半导体发光器件光学耦合到光纤上的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02143290.2

申请日：

2002-09-25

公开(公告)号：

CN1410791A

公开(公告)日：

2003-04-16

发明(设计)人：

吉泽哲

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

G02B642

IPC分类号：

G02B632 H01L3300

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

刘晓峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-04-16	公开	公开
2005-06-22	授权	授权
2010-10-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101009395324 IPC(主分类):G02B 6/42 专利号:ZL021432902 变更事项:专利权人变更前:恩益禧电子股份有限公司变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川县变更后:日本神奈川县
2003-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-11-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101633281081 IPC(主分类):G02B 6/42 专利号:ZL021432902 申请日:20020925 授权公告日:20050622 终止日期:20140925

共 50 条

[1]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN103858243A ,2014-06-11

[2]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN107086198B ,2017-08-22

[3]

将衬底接合到半导体发光器件的方法 [P].

G.巴辛 ;

J.E.伊普勒 ;

P.S.马丁 .

中国专利 :CN108269756A ,2018-07-10

[4]

半导体发光器件及使用半导体发光器件的光学装置 [P].

今本浩史 ;

渡边秀明 ;

今仲行一 ;

田中嗣治 ;

柳ケ濑雅司 .

中国专利 :CN1108819A ,1995-09-20

[5]

半导体发光器件 [P].

竹中靖二 .

中国专利 :CN1306626C ,2004-08-04

[6]

光学半导体器件 [P].

友广秀和 ;

藤井雅行 ;

佐藤典生 ;

山田智行 ;

草野富雄 .

中国专利 :CN101546803A ,2009-09-30

[7]

半导体发光器件和具有半导体发光器件的半导体发光设备 [P].

沈载仁 ;

宋尚烨 ;

河宗勋 ;

金起范 ;

崔丞佑 .

中国专利 :CN105633257B ,2016-06-01

[8]

半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [P].

S·E·霍珀 ;

V·鲍斯奎特 ;

J·赫弗尔南 .

中国专利 :CN100477304C ,2006-11-01

[9]

半导体发光器件、半导体发光器件的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN102782967A ,2012-11-14

[10]

半导体发光器件、半导体发光装置以及制造半导体发光器件的方法 [P].

村本卫司 ;

布上真也 ;

冈俊行 .

中国专利 :CN102326265B ,2012-01-18

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