光学半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910134760.0

申请日：

2004-01-13

公开(公告)号：

CN101546803A

公开(公告)日：

2009-09-30

发明(设计)人：

友广秀和藤井雅行佐藤典生山田智行草野富雄

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L23495 H01L2348

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

王玮

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-08	授权	授权
2022-10-04	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 33/00 变更事项:专利权人变更前:松下电器产业株式会社变更后:松下控股株式会社变更事项:地址变更前:日本大阪府变更后:日本大阪府
2013-07-03	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101607419146 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009101347600 专利号:ZL2009101347600 合同备案号:2013990000219 让与人:松下电器半导体分立器件株式会社受让人:松下半导体元器件(苏州)有限公司发明名称:光学半导体器件申请日:20040113 申请公布日:20090930 授权公告日:20101208 许可种类:普通许可备案日期:20130510
2009-09-30	公开	公开
2009-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体发光器件 [P].

竹中靖二 .

中国专利 :CN1306626C ,2004-08-04

[2]

将半导体发光器件光学耦合到光纤上的半导体器件 [P].

吉泽哲 .

中国专利 :CN1410791A ,2003-04-16

[3]

半导体发光器件及使用半导体发光器件的光学装置 [P].

今本浩史 ;

渡边秀明 ;

今仲行一 ;

田中嗣治 ;

柳ケ濑雅司 .

中国专利 :CN1108819A ,1995-09-20

[4]

半导体发光器件和光学组件 [P].

足立光一朗 .

日本专利 :CN114512473B ,2024-10-15

[5]

半导体发光器件光学封装结构 [P].

张汝志 ;

梁秉文 .

中国专利 :CN104124326B ,2014-10-29

[6]

半导体发光器件和光学组件 [P].

足立光一朗 .

中国专利 :CN114512473A ,2022-05-17

[7]

半导体发光器件、半导体发光器件的制造方法和光学装置 [P].

林伸彦 ;

畑雅幸 .

中国专利 :CN102782967A ,2012-11-14

[8]

半导体发光器件以及半导体器件的制造方法 [P].

S·E·霍珀 ;

V·鲍斯奎特 ;

J·赫弗尔南 .

中国专利 :CN100477304C ,2006-11-01

[9]

光学半导体器件 [P].

菅一辉 ;

中原宏治 .

中国专利 :CN114188821A ,2022-03-15

[10]

光学半导体器件 [P].

尾内敏彦 ;

井辻健明 ;

笠井信太郎 .

中国专利 :CN101794835A ,2010-08-04

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