生长衬底及发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210024969.3

申请日：

2012-01-31

公开(公告)号：

CN102790148A

公开(公告)日：

2012-11-21

发明(设计)人：

李定植

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

张浴月;郑小军

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101378922645 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2012100249693 申请日:20120131
2021-08-27	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 33/12 登记生效日:20210817 变更事项:专利权人变更前权利人:LG伊诺特有限公司变更后权利人:苏州乐琻半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:韩国首尔变更后权利人:江苏省苏州市太仓市常胜北路168号
2015-12-02	授权	授权
2012-11-21	公开	公开

共 50 条

[1]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN104205369A ,2014-12-10

[2]

在硅衬底上生长的发光器件 [P].

R.辛格 ;

J.E.埃普勒 .

中国专利 :CN110246941A ,2019-09-17

[3]

复合衬底上生长的半导体发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 ;

M.R.拉姆斯 .

中国专利 :CN102165609A ,2011-08-24

[4]

生长于波长转换衬底上的发光器件 [P].

N.F.加德纳 ;

A.J.F.达维达 ;

O.B.施彻金 .

中国专利 :CN102870238A ,2013-01-09

[5]

发光器件衬底和使用该衬底的发光器件 [P].

五藤智久 ;

武胁纪子 ;

柘植久尚 ;

上条敦 ;

东口达 .

中国专利 :CN100481533C ,2005-03-16

[6]

发光器件衬底和使用该衬底的发光器件 [P].

五藤智久 ;

武胁纪子 ;

柘植久尚 ;

上条敦 ;

东口达 .

中国专利 :CN100420349C ,2005-03-16

[7]

发光器件用衬底 [P].

八乡昭广 ;

中村孝夫 ;

吉村雅司 .

中国专利 :CN102282684A ,2011-12-14

[8]

用于生长Ⅲ－Ⅴ发光器件的复合主体－晶种衬底 [P].

M·R·克拉梅斯 ;

N·F·加德纳 ;

J·埃普勒 .

中国专利 :CN101273472A ,2008-09-24

[9]

发光器件衬底及其制备方法、发光器件 [P].

张滔 ;

向超宇 ;

李乐 ;

辛征航 ;

张东华 .

中国专利 :CN106684217A ,2017-05-17

[10]

图形化衬底及发光器件 [P].

李惠芸 ;

刘芳 ;

徐晓丽 ;

杨丹 ;

方华 ;

孙雷蒙 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN217544612U ,2022-10-04

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