具有稳定的氧化物结合层的复合结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880125235.6

申请日：

2008-12-29

公开(公告)号：

CN101925994B

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

B·福雷 A·马尔科韦基奥

申请人：

申请人地址：

法国贝尔南

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

过晓东

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	公开	公开
2017-05-17	授权	授权
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035898265 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2008801252356 申请日:20081229

共 50 条

[1]

在复合结构上制造外延生长层的方法 [P].

B·福雷 ;

A·马尔科韦基奥 .

中国专利 :CN101925995A ,2010-12-22

[2]

镓氧化物层的制造方法 [P].

元京勋 ;

安民宇 ;

尹舒俊 ;

黄喆周 .

韩国专利 :CN121127622A ,2025-12-12

[3]

具有层结构的锂金属复合氧化物的制造方法 [P].

光本徹也 ;

井上大辅 ;

胜山幸一 ;

荫井慎也 .

中国专利 :CN107406274A ,2017-11-28

[4]

具有附加氧化物层的栅极结构及其制造方法 [P].

林智伟 ;

王智麟 ;

郭康民 ;

连承伟 .

中国专利 :CN112599594A ,2021-04-02

[5]

具有附加氧化物层的栅极结构及其制造方法 [P].

林智伟 ;

王智麟 ;

郭康民 ;

连承伟 .

中国专利 :CN106057874A ,2016-10-26

[6]

具有层结构的锂金属复合氧化物 [P].

光本徹也 ;

松山敏和 ;

鹫田大辅 ;

井上大辅 ;

松嶋英明 ;

荫井慎也 .

中国专利 :CN108698853B ,2018-10-23

[7]

具有层结构的锂金属复合氧化物 [P].

光本徹也 ;

井手仁彦 ;

荫井慎也 ;

畑祥巳 .

中国专利 :CN103930374A ,2014-07-16

[8]

具有氧化物半导体薄膜层的层叠结构的制造方法 [P].

江端一晃 ;

笘井重和 ;

霍间勇辉 ;

松崎滋夫 ;

矢野公规 .

中国专利 :CN103400751A ,2013-11-20

[9]

具有多个氧化物层结构的复合涂层切削刀具 [P].

李佳 ;

陈利 ;

吴明晶 ;

王大辉 ;

裴斐 ;

张国飞 .

中国专利 :CN115305441A ,2022-11-08

[10]

复合氧化物的制造方法 [P].

竹岛伸一 ;

小山晃生 .

中国专利 :CN101511471B ,2009-08-19

← 1 2 3 4 5 →