镓氧化物层的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480027176.8

申请日：

2024-05-13

公开(公告)号：

CN121127622A

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

元京勋安民宇尹舒俊黄喆周

申请人：

周星工程股份有限公司

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

C23C16/40

IPC分类号：

C23C16/455 C23C16/505 C23C16/44 C23C28/04 H01L21/02

代理机构：

北京鸿元知识产权代理有限公司 11327

代理人：

王伟;李琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-12	公开	公开

共 50 条

[1]

金属氧化物层的制造方法、半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大野敏和 ;

惠木勇司 ;

井坂史人 .

日本专利 :CN120857580A ,2025-10-28

[2]

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

深田和宏 ;

西冈圣司 ;

藤本信贵 ;

铃木正博 .

中国专利 :CN107004606A ,2017-08-01

[3]

含镓的金属氧化物层的蚀刻溶液组合物 [P].

张尚勋 ;

权五柄 ;

沈庆辅 ;

李智娟 ;

刘仁浩 .

中国专利 :CN102977889A ,2013-03-20

[4]

氧化物层的工艺和制造技术 [P].

霍里亚·M·福尔 ;

玛丽亚·福尔 .

中国专利 :CN106415783A ,2017-02-15

[5]

具有稳定的氧化物结合层的复合结构的制造方法 [P].

B·福雷 ;

A·马尔科韦基奥 .

中国专利 :CN101925994B ,2010-12-22

[6]

包含金属氧化物缓冲层的太阳能电池和制造方法 [P].

K·A·布什 ;

A·F·帕尔姆斯特伦 ;

M·D·麦吉 ;

S·F·本特 .

中国专利 :CN109923687A ,2019-06-21

[7]

包含金属氧化物缓冲层的太阳能电池和制造方法 [P].

K·A·布什 ;

A·F·帕尔姆斯特伦 ;

M·D·麦吉 ;

S·F·本特 .

美国专利 :CN109923687B ,2024-01-26

[8]

带有氧化物层的基体及其制造方法 [P].

蛭间武彦 ;

冈东健 ;

秋田阳介 ;

户丸善宽 .

中国专利 :CN102026770A ,2011-04-20

[9]

通过弧蒸发制造金属氧化物层的方法 [P].

J·拉姆 ;

B·维德里希 .

中国专利 :CN102016104A ,2011-04-13

[10]

氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统 [P].

下田达也 ;

德光永辅 ;

尾上允敏 ;

宫迫毅明 .

中国专利 :CN105027240A ,2015-11-04

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