氧化物层及氧化物层的制造方法、以及具备该氧化物层的电容器、半导体装置及微机电系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480011233.X

申请日：

2014-01-06

公开(公告)号：

CN105027240A

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

下田达也德光永辅尾上允敏宫迫毅明

申请人：

申请人地址：

日本埼玉县川口市

IPC主分类号：

H01G433

IPC分类号：

H01G412 H01L21316 H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

钟守期;杨勇

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	公开	公开
2016-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101652168090 IPC(主分类):H01G 4/33 专利申请号:201480011233X 申请日:20140106
2018-05-22	授权	授权
2019-12-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 4/33 申请日:20140106 授权公告日:20180522 终止日期:20190106

共 50 条

[1]

氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

井坂史人 ;

佐藤优一 ;

大野敏和 ;

国武宽司 ;

村川努 .

日本专利 :CN119300428A ,2025-01-10

[2]

氧化物的前驱体、氧化物层、半导体元件、电子装置及氧化物层的制造方法和半导体元件的制造方法 [P].

下田达也 ;

井上聪 ;

深田和宏 ;

西冈圣司 ;

藤本信贵 ;

铃木正博 .

中国专利 :CN107004606A ,2017-08-01

[3]

氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、氧化物半导体层、半导体元件及电子装置 [P].

井上聪 ;

下田达也 ;

川北知纪 ;

藤本信贵 ;

西冈圣司 .

中国专利 :CN105474372A ,2016-04-06

[4]

氧化物半导体层及半导体装置 [P].

山崎舜平 ;

坂仓真之 ;

宫永昭治 ;

高桥正弘 ;

广桥拓也 ;

岛津贵志 .

中国专利 :CN102484139A ,2012-05-30

[5]

形成氧化物层的方法和含该氧化物层的半导体器件的制法 [P].

郑淑真 ;

李钟喆 ;

金润洙 ;

柳次英 ;

姜相列 .

中国专利 :CN102760661B ,2012-10-31

[6]

具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN102714223A ,2012-10-03

[7]

金属氧化物半导体电容器 [P].

罗纳德·S·德姆科 ;

科里·内尔森 ;

玛丽安·贝罗里尼 ;

杰夫·博格曼 .

美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06

[8]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN111180525A ,2020-05-19

[9]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN104321878A ,2015-01-28

[10]

氧化物半导体层的制备方法及装置 [P].

苏同上 ;

王东方 ;

刘军 ;

王庆贺 ;

傅武霞 ;

闫梁臣 ;

袁广才 .

中国专利 :CN108987258A ,2018-12-11

← 1 2 3 4 5 →