金属氧化物半导体电容器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380074366.0

申请日：

2023-10-18

公开(公告)号：

CN120113351A

公开(公告)日：

2025-06-06

发明(设计)人：

罗纳德·S·德姆科科里·内尔森玛丽安·贝罗里尼杰夫·博格曼

申请人：

京瓷AVX元器件公司

申请人地址：

美国南卡罗来纳州

IPC主分类号：

H10D1/66

IPC分类号：

H10D1/00 H01G4/236 H01G2/06

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

张瑾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-06	公开	公开
2025-08-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 1/66申请日:20231018

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体电容器 [P].

陈信贤 ;

李国兴 ;

康智凯 ;

薛胜元 .

中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30

[2]

金属氧化物半导体电容器结构 [P].

周伟伟 ;

张志 .

中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13

[3]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258B ,2024-04-12

[4]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258A ,2022-01-25

[5]

金属氧化物半导体电容器及其制作方法 [P].

林建里 ;

林威达 ;

陈正国 ;

罗大刚 ;

陈奕全 ;

马焕淇 ;

游建文 ;

卢冠廷 ;

廖国佑 .

中国专利 :CN114613864A ,2022-06-10

[6]

具有改善的线性度的金属氧化物半导体(MOS)电容器 [P].

M·B·瓦希德法 ;

A·科哈利利 ;

C-H·王 ;

P·P·陈 .

中国专利 :CN105493284A ,2016-04-13

[7]

金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置 [P].

河端正藏 ;

伊藤伸彦 .

中国专利 :CN105938828A ,2016-09-14

[8]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN203351589U ,2013-12-18

[9]

金属‑氧化物‑金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN103515453B ,2014-01-15

[10]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

甘正浩 ;

樊钰婷 .

中国专利 :CN103367308A ,2013-10-23

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