金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610010155.2

申请日：

2016-01-07

公开(公告)号：

CN105938828A

公开(公告)日：

2016-09-14

发明(设计)人：

河端正藏伊藤伸彦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区

IPC主分类号：

H01L2364

IPC分类号：

H01L27115

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王珊珊

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 23/64 登记生效日:20190625 变更事项:专利权人变更前权利人:力晶科技股份有限公司变更后权利人:力晶积成电子制造股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾新竹科学工业园区变更后权利人:中国台湾新竹科学工业园区
2016-09-14	公开	公开
2016-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101683107884 IPC(主分类):H01L 23/64 专利申请号:2016100101552 申请日:20160107
2019-03-08	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体电容器 [P].

罗纳德·S·德姆科 ;

科里·内尔森 ;

玛丽安·贝罗里尼 ;

杰夫·博格曼 .

美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06

[2]

金属氧化物半导体电容器 [P].

陈信贤 ;

李国兴 ;

康智凯 ;

薛胜元 .

中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30

[3]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258B ,2024-04-12

[4]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258A ,2022-01-25

[5]

金属氧化物半导体电容器结构 [P].

周伟伟 ;

张志 .

中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13

[6]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN203351589U ,2013-12-18

[7]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

甘正浩 ;

樊钰婷 .

中国专利 :CN103367308A ,2013-10-23

[8]

金属氧化物半导体电容器及其制作方法 [P].

林建里 ;

林威达 ;

陈正国 ;

罗大刚 ;

陈奕全 ;

马焕淇 ;

游建文 ;

卢冠廷 ;

廖国佑 .

中国专利 :CN114613864A ,2022-06-10

[9]

金属‑氧化物‑金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN103515453B ,2014-01-15

[10]

金属-氧化物-金属电容器结构 [P].

黄俊杰 ;

王琳松 ;

林其谚 .

中国专利 :CN103050549B ,2013-04-17

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