金属-氧化物-金属电容器结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210196065.9

申请日：

2012-06-13

公开(公告)号：

CN103050549B

公开(公告)日：

2013-04-17

发明(设计)人：

黄俊杰王琳松林其谚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2992

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	授权	授权
2013-04-17	公开	公开
2013-05-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101457127136 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2012101960659 申请日:20120613

共 50 条

[1]

金属氧化物金属电容器结构 [P].

S·苏塔德雅 .

中国专利 :CN103620790A ,2014-03-05

[2]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

甘正浩 ;

樊钰婷 .

中国专利 :CN103367308A ,2013-10-23

[3]

金属-氧化物-金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN203351589U ,2013-12-18

[4]

用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构 [P].

华伟君 ;

张家龙 ;

陈俊宏 ;

赵治平 ;

郑价言 ;

曾华洲 .

中国专利 :CN102456665A ,2012-05-16

[5]

金属氧化物半导体电容器结构 [P].

周伟伟 ;

张志 .

中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13

[6]

金属‑氧化物‑金属电容器 [P].

张炯 ;

金之杰 ;

伊藤明 .

中国专利 :CN103515453B ,2014-01-15

[7]

堆叠式金属－氧化物－金属电容器结构 [P].

陈朝祺 ;

金明铸 ;

周振成 .

中国专利 :CN101165922A ,2008-04-23

[8]

金属-氧化物-金属电容器及其形成方法 [P].

戴有江 ;

葛哲玮 ;

李灵均 ;

熊淑平 .

中国专利 :CN119255696A ,2025-01-03

[9]

金属氧化物半导体电容器 [P].

罗纳德·S·德姆科 ;

科里·内尔森 ;

玛丽安·贝罗里尼 ;

杰夫·博格曼 .

美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06

[10]

金属氧化物半导体电容器 [P].

陈信贤 ;

李国兴 ;

康智凯 ;

薛胜元 .

中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30

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