金属-氧化物-金属电容器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210101205.X
申请日
2012-03-31
公开(公告)号
CN103367308A
公开(公告)日
2013-10-23
发明(设计)人
甘正浩 樊钰婷
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
H01L23522
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
屈蘅;李时云
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
金属-氧化物-金属电容器结构 [P]. 
黄俊杰 ;
王琳松 ;
林其谚 .
中国专利 :CN103050549B ,2013-04-17
[2]
金属氧化物金属电容器结构 [P]. 
S·苏塔德雅 .
中国专利 :CN103620790A ,2014-03-05
[3]
金属-氧化物-金属电容器 [P]. 
张炯 ;
金之杰 ;
伊藤明 .
中国专利 :CN203351589U ,2013-12-18
[4]
金属‑氧化物‑金属电容器 [P]. 
张炯 ;
金之杰 ;
伊藤明 .
中国专利 :CN103515453B ,2014-01-15
[5]
与气隙结合的金属-氧化物-金属电容器 [P]. 
张家龙 ;
叶名世 ;
陈家逸 ;
鲁定中 .
中国专利 :CN101533838B ,2009-09-16
[6]
用于金属-氧化物-金属电容器的保护结构 [P]. 
华伟君 ;
张家龙 ;
陈俊宏 ;
赵治平 ;
郑价言 ;
曾华洲 .
中国专利 :CN102456665A ,2012-05-16
[7]
金属氧化物半导体电容器结构 [P]. 
周伟伟 ;
张志 .
中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13
[8]
具有增强电容的金属-氧化物-金属(MOM)电容器 [P]. 
X·李 ;
B·杨 .
中国专利 :CN105074916B ,2015-11-18
[9]
金属氧化物半导体电容器 [P]. 
罗纳德·S·德姆科 ;
科里·内尔森 ;
玛丽安·贝罗里尼 ;
杰夫·博格曼 .
美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06
[10]
金属氧化物半导体电容器 [P]. 
陈信贤 ;
李国兴 ;
康智凯 ;
薛胜元 .
中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30