金属氧化物半导体电容器及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202011429361.X

申请日：

2020-12-07

公开(公告)号：

CN114613864A

公开(公告)日：

2022-06-10

发明(设计)人：

林建里林威达陈正国罗大刚陈奕全马焕淇游建文卢冠廷廖国佑

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2994

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-10	公开	公开
2022-06-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/94 申请日:20201207

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体电容器 [P].

罗纳德·S·德姆科 ;

科里·内尔森 ;

玛丽安·贝罗里尼 ;

杰夫·博格曼 .

美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06

[2]

金属氧化物半导体电容器 [P].

陈信贤 ;

李国兴 ;

康智凯 ;

薛胜元 .

中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30

[3]

金属氧化物半导体电容器结构 [P].

周伟伟 ;

张志 .

中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13

[4]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258B ,2024-04-12

[5]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258A ,2022-01-25

[6]

金属氧化物金属电容器制作方法 [P].

桑宁波 ;

李润领 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN105070642B ,2015-11-18

[7]

金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置 [P].

河端正藏 ;

伊藤伸彦 .

中国专利 :CN105938828A ,2016-09-14

[8]

金属氧化物半导体组件及其制作方法 [P].

薛福隆 ;

赵治平 ;

周淳朴 ;

彭永州 ;

庄学理 ;

宋国栋 .

中国专利 :CN102194815A ,2011-09-21

[9]

金属氧化物半导体管及其制作方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103137479B ,2013-06-05

[10]

具有改善的线性度的金属氧化物半导体(MOS)电容器 [P].

M·B·瓦希德法 ;

A·科哈利利 ;

C-H·王 ;

P·P·陈 .

中国专利 :CN105493284A ,2016-04-13

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