半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010722652.1

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN113972258A

公开(公告)日：

2022-01-25

发明(设计)人：

颜孝璁陈家源

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2364 H01L2702

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳;郑特强

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-02-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200724
2022-01-25	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及金属氧化物半导体电容器结构 [P].

颜孝璁 ;

陈家源 .

中国专利 :CN113972258B ,2024-04-12

[2]

金属氧化物半导体电容器结构 [P].

周伟伟 ;

张志 .

中国专利 :CN115050707A ,2022-09-13

[3]

金属氧化物半导体电容器 [P].

罗纳德·S·德姆科 ;

科里·内尔森 ;

玛丽安·贝罗里尼 ;

杰夫·博格曼 .

美国专利 :CN120113351A ,2025-06-06

[4]

金属氧化物半导体电容器 [P].

陈信贤 ;

李国兴 ;

康智凯 ;

薛胜元 .

中国专利 :CN120076348A ,2025-05-30

[5]

金属氧化物金属电容器电路及其半导体装置 [P].

河端正藏 ;

伊藤伸彦 .

中国专利 :CN105938828A ,2016-09-14

[6]

金属氧化物半导体电容器及其制作方法 [P].

林建里 ;

林威达 ;

陈正国 ;

罗大刚 ;

陈奕全 ;

马焕淇 ;

游建文 ;

卢冠廷 ;

廖国佑 .

中国专利 :CN114613864A ,2022-06-10

[7]

金属氧化物半导体电容结构 [P].

陈品岑 ;

周玲君 ;

李坤宪 .

中国专利 :CN119698003A ,2025-03-25

[8]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

[9]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

韩国专利 :CN112825334B ,2025-07-11

[10]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

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