沟槽金属氧化物半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810090494.1

申请日：

2008-04-21

公开(公告)号：

CN101295712B

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

德瓦·N·帕塔那亚克凯尔·特里尔沙伦·史米沙·李白玉明卡姆·刘陈阔银

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2978 H01L2182 H01L21336

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

蔡胜有;王春伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	公开	公开
2009-06-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-06-06	授权	授权

共 50 条

[1]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[2]

沟槽型功率金属氧化物半导体栅器件 [P].

亚当I·阿马利 ;

纳雷什·撒帕尔 .

中国专利 :CN100365826C ,2004-12-01

[3]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[4]

沟槽式金属氧化物半导体晶体管 [P].

李乐 ;

王立斌 ;

汪洋 ;

彭树根 .

中国专利 :CN101819974A ,2010-09-01

[5]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[6]

沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管 [P].

王新 ;

朱怀宇 .

中国专利 :CN201936886U ,2011-08-17

[7]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[8]

沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法 [P].

贾璐 .

中国专利 :CN103000534B ,2013-03-27

[9]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN110620152A ,2019-12-27

[10]

沟槽型金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

刘冠伶 ;

翁士元 .

中国专利 :CN102956639A ,2013-03-06

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