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沟槽式金属氧化物半导体场效应管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910791059.X
申请日：
2019-08-26
公开(公告)号：
CN110620152A
公开(公告)日：
2019-12-27
发明(设计)人：
谢福渊
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市中和区中正路637巷1号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L29423
H01L2906
代理机构：
上海申汇专利代理有限公司 31001
代理人：
徐俊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-01-21 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20190826 |
| 2019-12-27 | 公开 | 公开 |