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一种屏蔽栅沟槽式金属氧化物半导体场效应管
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010229855.7
申请日：
2020-03-27
公开(公告)号：
CN111509049A
公开(公告)日：
2020-08-07
发明(设计)人：
谢福渊
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市中和区中正路637巷1号
IPC主分类号：
H01L29786
IPC分类号：
H01L2906
H01L29423
代理机构：
上海申汇专利代理有限公司 31001
代理人：
徐俊
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-08-07 | 公开 | 公开 |
| 2020-09-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20200327 |