沟槽式金属氧化物半导体场效应管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310315605.5

申请日：

2013-07-25

公开(公告)号：

CN103730499A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

谢福渊

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县板桥市信义路177-3号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

汤保平

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582223480 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013103156055 申请日:20130725
2018-01-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20140416
2014-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN103730500A ,2014-04-16

[2]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN110534574A ,2019-12-03

[3]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN110620152A ,2019-12-27

[4]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN103515439A ,2014-01-15

[5]

沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN110534574B ,2024-05-17

[6]

短沟道沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN103872133A ,2014-06-18

[7]

一种沟槽式金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN102856380A ,2013-01-02

[8]

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN104078507A ,2014-10-01

[9]

一种沟槽金属氧化物半导体场效应管 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN102222618B ,2011-10-19

[10]

沟槽金属氧化物半导体场效应管的制造方法 [P].

汉密尔顿·卢 ;

拉兹洛·利普赛依 .

中国专利 :CN102347278A ,2012-02-08

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