金属氧化物半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710110141.9

申请日：

2007-06-18

公开(公告)号：

CN101241932B

公开(公告)日：

2008-08-13

发明(设计)人：

官大明柯志欣李文钦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

陈晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-13	公开	公开
2008-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-04-10	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[2]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[3]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[4]

高电压金属氧化物半导体装置 [P].

吴华书 ;

洪丰基 ;

陈鸿霖 ;

李士敬 .

中国专利 :CN100563027C ,2007-08-22

[5]

P型金属氧化物半导体装置及半导体装置 [P].

蔡庆威 ;

王志豪 ;

林威戎 ;

黄焕宗 ;

卡罗斯 .

中国专利 :CN101276835A ,2008-10-01

[6]

金属氧化物半导体绝缘工艺 [P].

帕特森 .

中国专利 :CN85104651A ,1986-06-10

[7]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[8]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

[9]

金属氧化物半导体电路结构 [P].

方振宇 ;

陈维忠 ;

李深地 ;

余建朋 ;

王一诚 .

中国专利 :CN1783510A ,2006-06-07

[10]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

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