金属氧化物半导体绝缘工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN85104651.7

申请日：

1985-06-15

公开(公告)号：

CN85104651A

公开(公告)日：

1986-06-10

发明(设计)人：

帕特森

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理有限公司

代理人：

李先春

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1989-11-29	授权	授权
1988-03-02	实质审查请求	实质审查请求
1986-06-09	公开	公开
1989-04-05	审定	审定
2001-02-07	专利权的终止专利权有效期届满	专利权的终止专利权有效期届满

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[2]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[3]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[4]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[5]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[6]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

[7]

金属氧化物半导体电路结构 [P].

方振宇 ;

陈维忠 ;

李深地 ;

余建朋 ;

王一诚 .

中国专利 :CN1783510A ,2006-06-07

[8]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

[9]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[10]

金属氧化物半导体电压基准电路 [P].

方邵华 ;

管慧 .

中国专利 :CN200983116Y ,2007-11-28

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