金属氧化物半导体电压基准电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620002937.3

申请日：

2006-01-27

公开(公告)号：

CN200983116Y

公开(公告)日：

2007-11-28

发明(设计)人：

方邵华管慧

申请人：

申请人地址：

开曼群岛

IPC主分类号：

G05F326

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司

代理人：

白益华

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-28	授权	授权
2016-03-02	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101648495509 IPC(主分类):G05F 3/26 专利号:ZL2006200029373 申请日:20060127 授权公告日:20071128 终止日期:无
2009-01-14	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案受让人:上海新进半导体制造有限公司发明名称:金属氧化物半导体电压基准电路申请日:20060127 授权公告日:20071128 许可种类:独占许可备案日期:2008.10.8 合同备案号:2008990000598 让与人:BCD半导体制造有限公司合同履行期限:2007.12.9至2013.12.8合同变更
2008-08-06	专利实施许可合同的备案	专利实施许可合同的备案合同备案号:2008990000135 让与人:BCD半导体制造有限公司受让人:上海新进半导体制造有限公司发明名称:金属氧化物半导体电压基准电路申请日:20060127 授权公告日:20071128 许可种类:独占许可备案日期:2008.6.13 合同履行期限:2008.5.27至2016.1.26合同变更

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管基准电压源 [P].

周泽坤 ;

刘德尚 ;

张其营 ;

许天辉 ;

石跃 ;

明鑫 ;

王卓 ;

张波 .

中国专利 :CN103412604B ,2013-11-27

[2]

金属氧化物半导体电路结构 [P].

方振宇 ;

陈维忠 ;

李深地 ;

余建朋 ;

王一诚 .

中国专利 :CN1783510A ,2006-06-07

[3]

高电压金属氧化物半导体装置 [P].

吴华书 ;

洪丰基 ;

陈鸿霖 ;

李士敬 .

中国专利 :CN100563027C ,2007-08-22

[4]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[5]

低阈值电压金属氧化物半导体 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103579344A ,2014-02-12

[6]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

[7]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[8]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[9]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[10]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

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