金属氧化物半导体晶体管基准电压源

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310300551.5

申请日：

2013-07-17

公开(公告)号：

CN103412604B

公开(公告)日：

2013-11-27

发明(设计)人：

周泽坤刘德尚张其营许天辉石跃明鑫王卓张波

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新西区西源大道2006号

IPC主分类号：

G05F1567

IPC分类号：

代理机构：

成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227

代理人：

李顺德

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-11-27	公开	公开
2016-09-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101677704485 IPC(主分类):G05F 1/567 专利号:ZL2013103005515 申请日:20130717 授权公告日:20141203 终止日期:20150717
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101555325151 IPC(主分类):G05F 1/567 专利申请号:2013103005515 申请日:20130717
2014-12-03	授权	授权

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体晶体管及高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

王升平 ;

黄宗义 ;

王文亮 .

中国专利 :CN101262010B ,2008-09-10

[2]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

蔡娟娟 ;

冉晓雯 ;

孟心飞 ;

叶隽正 .

中国专利 :CN102820339A ,2012-12-12

[3]

金属氧化物半导体晶体管 [P].

田威廉 ;

曾昭玮 ;

陈富信 .

中国专利 :CN101572270A ,2009-11-04

[4]

高电压金属氧化物半导体晶体管设备 [P].

蔣柏煜 .

中国专利 :CN105390543A ,2016-03-09

[5]

非对称金属‑氧化物‑半导体晶体管 [P].

A·拉特纳库玛尔 ;

刘骏 ;

董晓琪 ;

相奇 .

中国专利 :CN103353909B ,2013-10-16

[6]

非对称金属-氧化物-半导体晶体管 [P].

A·拉特纳库玛尔 ;

刘骏 ;

董晓琪 ;

相奇 .

中国专利 :CN101740627B ,2010-06-16

[7]

金属氧化物半导体晶体管结构 [P].

李名镇 ;

郑道 ;

杨明宗 .

中国专利 :CN101771078A ,2010-07-07

[8]

高压金属氧化物半导体晶体管 [P].

许世明 ;

黄志仁 ;

郑敦仁 ;

苏潮源 .

中国专利 :CN101364611A ,2009-02-11

[9]

金属氧化物半导体晶体管元件 [P].

林焕顺 ;

蔡振华 ;

萧维沧 ;

孟宪樑 ;

施泓林 .

中国专利 :CN1953208A ,2007-04-25

[10]

金属氧化物半导体晶体管控制 [P].

皮埃尔·萨达特 .

中国专利 :CN101147323A ,2008-03-19

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