金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610482371.7

申请日：

2016-06-27

公开(公告)号：

CN107546253A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

杜蕾

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343

代理人：

尚志峰;汪海屏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20160627
2018-01-05	公开	公开
2020-08-07	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20180105

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体器件制作方法和金属氧化物半导体器件 [P].

刘竹 ;

马万里 .

中国专利 :CN104867829A ,2015-08-26

[2]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[3]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[4]

金属氧化物半导体电路结构 [P].

方振宇 ;

陈维忠 ;

李深地 ;

余建朋 ;

王一诚 .

中国专利 :CN1783510A ,2006-06-07

[5]

金属氧化物半导体晶体管和互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 .

中国专利 :CN118630037A ,2024-09-10

[6]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[7]

金属氧化物半导体的建模方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN120046561A ,2025-05-27

[8]

金属氧化物半导体绝缘工艺 [P].

帕特森 .

中国专利 :CN85104651A ,1986-06-10

[9]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[10]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

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