高电压金属氧化物半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610094035.1

申请日：

2006-06-20

公开(公告)号：

CN100563027C

公开(公告)日：

2007-08-22

发明(设计)人：

吴华书洪丰基陈鸿霖李士敬

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2949 H01L29423

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

陈晨

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-11-25	授权	授权
2007-08-22	公开	公开
2007-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体电压基准电路 [P].

方邵华 ;

管慧 .

中国专利 :CN200983116Y ,2007-11-28

[2]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[3]

高电压金属氧化物半导体晶体管设备 [P].

蔣柏煜 .

中国专利 :CN105390543A ,2016-03-09

[4]

非对称高电压金属氧化物半导体元件 [P].

刘昌淼 .

中国专利 :CN1419298A ,2003-05-21

[5]

低阈值电压金属氧化物半导体 [P].

伊藤明 .

中国专利 :CN103579344A ,2014-02-12

[6]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[7]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[8]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[9]

一种高电压电流金属氧化物半导体电路结构 [P].

范秉尧 ;

谢明易 ;

廖作祥 ;

陈茂华 .

中国专利 :CN101819973A ,2010-09-01

[10]

锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构 [P].

T·莱塔维克 ;

J·佩特鲁泽洛 ;

M·辛普森 .

中国专利 :CN1930690A ,2007-03-14

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