锥形单元的金属氧化物半导体高电压器件结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580008214.2

申请日：

2005-03-11

公开(公告)号：

CN1930690A

公开(公告)日：

2007-03-14

发明(设计)人：

T·莱塔维克 J·佩特鲁泽洛 M·辛普森

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29786 H01L2906 H01L2936 H01L2940 H01L29417 H01L2951

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

顾珊;张志醒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-14	公开	公开
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2016-05-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101659959241 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2005800082142 申请日:20050311 授权公告日:20091230 终止日期:20150311
2009-12-30	授权	授权
2007-08-22	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后权利人:NXP股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:荷兰艾恩德霍芬变更后权利人:荷兰艾恩德霍芬登记生效日:20070720

共 50 条

[1]

高电压金属氧化物半导体装置 [P].

吴华书 ;

洪丰基 ;

陈鸿霖 ;

李士敬 .

中国专利 :CN100563027C ,2007-08-22

[2]

金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件 [P].

约汉·M·内尔森 ;

克里斯托弗·B·考康 ;

理查德·D·斯托克 ;

琳达·S·布拉什 ;

约汉·L·本杰明 ;

路易斯·E·斯库尔基 ;

克里斯托弗·L·雷克塞尔 .

中国专利 :CN1146970C ,1998-11-04

[3]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[4]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

[5]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

[6]

金属氧化物半导体电压基准电路 [P].

方邵华 ;

管慧 .

中国专利 :CN200983116Y ,2007-11-28

[7]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[8]

金属氧化物半导体器件的制造方法 [P].

张海洋 ;

刘乒 ;

马擎天 .

中国专利 :CN100468635C ,2008-03-12

[9]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[10]

横向扩散的金属氧化物半导体（LDMOS） [P].

S·夏尔马 ;

石云 ;

A·K·斯坦珀 .

中国专利 :CN104241368A ,2014-12-24

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