金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN98106095.1

申请日：

1998-03-10

公开(公告)号：

CN1146970C

公开(公告)日：

1998-11-04

发明(设计)人：

约汉·M·内尔森克里斯托弗·B·考康理查德·D·斯托克琳达·S·布拉什约汉·L·本杰明路易斯·E·斯库尔基克里斯托弗·L·雷克塞尔

申请人：

申请人地址：

美国缅因

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21331

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-03	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:19980310 授权公告日:20040421
2000-06-28	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效
1998-11-04	公开	公开
2004-04-21	授权	授权
2003-07-16	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移	专利申请权、专利权的转移专利申请权的转移变更事项:申请人变更前权利人:哈里公司变更后权利人:英特赛尔公司变更事项:地址变更前权利人:美国伊罗里达变更后权利人:美国佛罗里达登记生效日:20030425

共 50 条

[1]

半导体器件和互补金属氧化物半导体半导体器件 [P].

柳青 ;

P·卡雷 ;

N·劳贝特 .

中国专利 :CN203721725U ,2014-07-16

[2]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[3]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

[4]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

[5]

沟槽型功率金属氧化物半导体栅器件 [P].

亚当I·阿马利 ;

纳雷什·撒帕尔 .

中国专利 :CN100365826C ,2004-12-01

[6]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

中国专利 :CN112825334A ,2021-05-21

[7]

具有金属氧化物半导体结构的半导体装置 [P].

李奎沃 ;

俞在炫 ;

金贞敬 ;

宋周泫 ;

赵秀娟 ;

洪元杓 .

韩国专利 :CN112825334B ,2025-07-11

[8]

制造具有互补金属氧化物半导体结构半导体器件的方法 [P].

安彦仁 .

中国专利 :CN1156902A ,1997-08-13

[9]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[10]

包括氧化物半导体的半导体器件及其制造方法 [P].

车俊会 .

韩国专利 :CN118486702A ,2024-08-13

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