沟槽型功率金属氧化物半导体栅器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02817409.7

申请日：

2002-09-03

公开(公告)号：

CN100365826C

公开(公告)日：

2004-12-01

发明(设计)人：

亚当I·阿马利纳雷什·撒帕尔

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2976

IPC分类号：

H01L2994

代理机构：

北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司

代理人：

方挺;葛强

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	授权	授权
2004-12-01	公开	公开
2005-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2012-11-14	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101347527700 IPC(主分类):H01L 29/76 专利号:ZL028174097 申请日:20020903 授权公告日:20080130 终止日期:20110903

共 50 条

[1]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[2]

沟槽高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

刘侠 ;

戈喆 ;

易扬波 ;

陆生礼 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN201038163Y ,2008-03-19

[3]

金属氧化物半导体栅控结构的半导体器件 [P].

约汉·M·内尔森 ;

克里斯托弗·B·考康 ;

理查德·D·斯托克 ;

琳达·S·布拉什 ;

约汉·L·本杰明 ;

路易斯·E·斯库尔基 ;

克里斯托弗·L·雷克塞尔 .

中国专利 :CN1146970C ,1998-11-04

[4]

改善的具有沟槽栅的金属氧化物半导体 [P].

史蒂文·托马斯·皮克 .

中国专利 :CN107895741A ,2018-04-10

[5]

双栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

陆生礼 ;

刘昊 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN1527401A ,2004-09-08

[6]

厚栅高压P型金属氧化物半导体管 [P].

孙伟锋 ;

李海松 ;

李杰 ;

易扬波 ;

徐申 ;

夏晓娟 ;

时龙兴 .

中国专利 :CN200997402Y ,2007-12-26

[7]

沟槽式P型金属氧化物半导体功率晶体管制造方法 [P].

贾璐 .

中国专利 :CN103000534B ,2013-03-27

[8]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

美国专利 :CN112331634B ,2025-06-24

[9]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

李振道 ;

孙明光 .

中国专利 :CN214411211U ,2021-10-15

[10]

金属氧化物半导体MOS器件 [P].

M·古普塔 ;

陈向东 ;

权武尚 .

中国专利 :CN112331634A ,2021-02-05

← 1 2 3 4 5 →