金属氧化物半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210387057.2

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN103730495A

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

詹景琳吴锡垣林正基连士进

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582227439 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012103870572 申请日:20121012
2016-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101742582828 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012103870572 申请公布日:20140416
2014-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[2]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[3]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[4]

互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法 [P].

葛崇祜 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241913B ,2008-08-13

[5]

金属氧化物半导体的结构及其制造方法 [P].

涂高维 .

中国专利 :CN101924104A ,2010-12-22

[6]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

[7]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[8]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

姜东勋 ;

李商文 ;

田重锡 ;

白光铉 .

中国专利 :CN101414608A ,2009-04-22

[9]

金属氧化物半导体结构及其制造方法 [P].

林钦雯 ;

黄全一 ;

黄仲钦 ;

辛哲宏 .

中国专利 :CN102610652A ,2012-07-25

[10]

用于制造金属氧化物半导体的方法 [P].

山下嘉久 ;

K·K·班戈 ;

H·斯林格霍斯 .

中国专利 :CN102893368B ,2013-01-23

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