用于制造金属氧化物半导体的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080066799.4

申请日：

2010-09-13

公开(公告)号：

CN102893368B

公开(公告)日：

2013-01-23

发明(设计)人：

山下嘉久 K·K·班戈 H·斯林格霍斯

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

杨晓光;于静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	授权	授权
2021-08-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20100913 授权公告日:20160127 终止日期:20200913
2013-01-23	公开	公开
2013-03-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101405720927 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010800667994 申请日:20100913

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[2]

金属氧化物半导体电晶体的制造方法 [P].

顾子琨 ;

黄文助 .

中国专利 :CN1492490A ,2004-04-28

[3]

金属氧化物半导体的结构及其制造方法 [P].

涂高维 .

中国专利 :CN101924104A ,2010-12-22

[4]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[5]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[6]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[7]

金属氧化物半导体的建模方法 [P].

顾经纶 .

中国专利 :CN120046561A ,2025-05-27

[8]

制造金属氧化物半导体存储器的方法 [P].

陈逸男 ;

徐文吉 ;

叶绍文 ;

刘献文 .

中国专利 :CN103378009A ,2013-10-30

[9]

沟槽金属氧化物半导体 [P].

德瓦·N·帕塔那亚克 ;

凯尔·特里尔 ;

沙伦·史 ;

米沙·李 ;

白玉明 ;

卡姆·刘 ;

陈阔银 .

中国专利 :CN101295712B ,2008-10-29

[10]

金属氧化物半导体装置 [P].

官大明 ;

柯志欣 ;

李文钦 .

中国专利 :CN101241932B ,2008-08-13

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