金属氧化物半导体的结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910147234.8

申请日：

2009-06-12

公开(公告)号：

CN101924104A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

涂高维

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L2906 H01L218234 H01L2120 H01L2128

代理机构：

北京市浩天知识产权代理事务所 11276

代理人：

刘云贵

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-07-25	授权	授权
2010-12-22	公开	公开
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035903154 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2009101472348 申请日:20090612

共 50 条

[1]

金属氧化物半导体结构及其制造方法 [P].

林钦雯 ;

黄全一 ;

黄仲钦 ;

辛哲宏 .

中国专利 :CN102610652A ,2012-07-25

[2]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[3]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[4]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[5]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[6]

用于制造金属氧化物半导体的方法 [P].

山下嘉久 ;

K·K·班戈 ;

H·斯林格霍斯 .

中国专利 :CN102893368B ,2013-01-23

[7]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[8]

互补金属氧化物半导体电路及其制造方法 [P].

卢径奉 ;

李美梨 ;

罗相君 ;

李宪晟 .

中国专利 :CN103915487B ,2014-07-09

[9]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN101621071B ,2010-01-06

[10]

金属氧化物半导体器件及其制造方法 [P].

叶好华 ;

何学缅 ;

李煜 .

中国专利 :CN101154682A ,2008-04-02

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