制造金属氧化物半导体存储器的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210129157.5

申请日：

2012-04-27

公开(公告)号：

CN103378009A

公开(公告)日：

2013-10-30

发明(设计)人：

陈逸男徐文吉叶绍文刘献文

申请人：

申请人地址：

中国台湾桃园县

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-30	公开	公开
2015-07-29	授权	授权
2013-11-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101545324541 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2012101291575 申请日:20120427

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[2]

金属氧化物半导体的制备方法和金属氧化物半导体 [P].

杜蕾 .

中国专利 :CN107546253A ,2018-01-05

[3]

用于制造金属氧化物半导体的方法 [P].

山下嘉久 ;

K·K·班戈 ;

H·斯林格霍斯 .

中国专利 :CN102893368B ,2013-01-23

[4]

金属氧化物半导体管的制作方法 [P].

唐兆云 .

中国专利 :CN102569085A ,2012-07-11

[5]

金属氧化物半导体电晶体的制造方法 [P].

顾子琨 ;

黄文助 .

中国专利 :CN1492490A ,2004-04-28

[6]

金属氧化物半导体的结构及其制造方法 [P].

涂高维 .

中国专利 :CN101924104A ,2010-12-22

[7]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

郭东政 ;

陈逸琳 .

中国专利 :CN101527313B ,2009-09-09

[8]

金属氧化物半导体元件及其制造方法 [P].

黄宗义 .

中国专利 :CN104518024A ,2015-04-15

[9]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[10]

编程硅氧化物氮化物氧化物半导体存储器件的方法 [P].

郑渊硕 ;

金桢雨 ;

蔡熙顺 ;

金柱亨 ;

韩祯希 ;

玄在雄 .

中国专利 :CN1881592A ,2006-12-20

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