互补金属氧化物半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810129778.7

申请日：

2008-08-18

公开(公告)号：

CN101414608A

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

姜东勋李商文田重锡白光铉

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司

代理人：

郭鸿禧;罗延红

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-22	公开	公开
2014-04-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101699757742 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2008101297787 申请公布日:20090422
2010-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101014287698 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2008101297787 申请日:20080818

共 50 条

[1]

互补金属氧化物半导体装置及制造方法 [P].

安生健二 .

中国专利 :CN106505067B ,2017-03-15

[2]

互补金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法 [P].

苏宇永 .

中国专利 :CN1222039C ,2003-07-23

[3]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[4]

互补金属氧化物半导体电路及其制造方法 [P].

卢径奉 ;

李美梨 ;

罗相君 ;

李宪晟 .

中国专利 :CN103915487B ,2014-07-09

[5]

互补金属氧化物半导体电路 [P].

卢超群 ;

杜文仙 .

中国专利 :CN119108400A ,2024-12-10

[6]

互补金属氧化物半导体 [P].

欧阳齐庆 ;

马西莫·菲谢蒂 .

中国专利 :CN101326631B ,2008-12-17

[7]

互补金属氧化物半导体及其组合元件 [P].

胡珍仪 ;

孙文堂 .

中国专利 :CN1299363C ,2004-11-24

[8]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN104579309A ,2015-04-29

[9]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN113193866A ,2021-07-30

[10]

互补金属氧化物半导体影像感测器及其制造方法 [P].

高境鸿 .

中国专利 :CN101533802B ,2009-09-16

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