具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010010002.4

申请日：

2013-03-15

公开(公告)号：

CN111180525A

公开(公告)日：

2020-05-19

发明(设计)人：

赛格·利维克里希纳斯瓦米·库马尔斐德列克·杰能萨姆·吉哈

申请人：

申请人地址：

爱尔兰都柏林

IPC主分类号：

H01L29792

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-19	公开	公开
2020-06-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/792 申请日:20130315

共 50 条

[1]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN104321878A ,2015-01-28

[2]

具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN102714223A ,2012-10-03

[3]

含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN101859702B ,2010-10-13

[4]

含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 .

中国专利 :CN106653761A ,2017-05-10

[5]

一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法 [P].

张建伟 ;

李秋德 ;

曾海 ;

洪文田 .

中国专利 :CN101414556B ,2009-04-22

[6]

硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件 [P].

田尚勋 ;

金桢雨 ;

马东俊 ;

崔圣圭 .

中国专利 :CN100502009C ,2005-09-21

[7]

永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅存储器 [P].

蔡洙杜 ;

金柱亨 ;

金桢雨 ;

蔡熙顺 ;

柳元壹 .

中国专利 :CN1326244C ,2004-04-21

[8]

氧化物膜、氧化物膜的制造方法及含氮氧化物溅射靶 [P].

梅本启太 ;

山口刚 ;

白井孝典 .

中国专利 :CN111542643A ,2020-08-14

[9]

氧化物和氮化物的原子层沉积 [P].

H·朱西拉 ;

朱驰宇 ;

谢琦 ;

金智妍 ;

T·E·布隆伯格 .

中国专利 :CN111560598A ,2020-08-21

[10]

用于3D内存应用的PECVD氧化物-氮化物以及氧化物-硅堆栈 [P].

N·拉贾戈帕兰 ;

X·韩 ;

J·A·朴 ;

清原敦 ;

朴贤秀 ;

金秉宪 .

中国专利 :CN103109352A ,2013-05-15

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