一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710182024.3

申请日：

2007-10-17

公开(公告)号：

CN101414556B

公开(公告)日：

2009-04-22

发明(设计)人：

张建伟李秋德曾海洪文田

申请人：

申请人地址：

215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21311

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司 11278

代理人：

张春媛

法律状态：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-12	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/28 变更事项:专利权人变更前:和舰科技(苏州)有限公司变更后:和舰芯片制造（苏州）股份有限公司变更事项:地址变更前:215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号变更后:215123 江苏省苏州市工业园区星华街333号
2009-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-06-09	授权	授权
2009-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN101859702B ,2010-10-13

[2]

具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN102714223A ,2012-10-03

[3]

含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 .

中国专利 :CN106653761A ,2017-05-10

[4]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN111180525A ,2020-05-19

[5]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN104321878A ,2015-01-28

[6]

硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅组件及其制作方法 [P].

杨进盛 ;

陈建宏 .

中国专利 :CN104253129A ,2014-12-31

[7]

氧化物和氮化物的原子层沉积 [P].

H·朱西拉 ;

朱驰宇 ;

谢琦 ;

金智妍 ;

T·E·布隆伯格 .

中国专利 :CN111560598A ,2020-08-21

[8]

采用氧化物制备氮化物的方法 [P].

陈小龙 ;

宋波 ;

简基康 ;

王刚 ;

许燕萍 .

中国专利 :CN100383035C ,2006-10-25

[9]

一种氧化物-氮化物-氧化物和多晶体残余的移除方法 [P].

何荣 ;

李秋德 ;

曾令旭 ;

曾海 .

中国专利 :CN101459143A ,2009-06-17

[10]

局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构及其制造方法 [P].

裵金钟 ;

李来寅 ;

金相秀 ;

金基喆 ;

金辰熙 ;

曹寅昱 ;

金成浩 ;

高光旭 .

中国专利 :CN1531095A ,2004-09-22

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