一种氧化物-氮化物-氧化物和多晶体残余的移除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710198540.5

申请日：

2007-12-11

公开(公告)号：

CN101459143A

公开(公告)日：

2009-06-17

发明(设计)人：

何荣李秋德曾令旭曾海

申请人：

申请人地址：

215025江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

G03F114

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

屈小春

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-10-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101198305478 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2007101985405 公开日:20090617
2009-06-17	公开	公开
2009-08-12	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属氧化物多晶体 [P].

增田彰 ;

高崎薰 ;

财田真人 .

中国专利 :CN102127736A ,2011-07-20

[2]

含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN101859702B ,2010-10-13

[3]

一种去除氧化物-氮化物-氧化物层的方法 [P].

张建伟 ;

李秋德 ;

曾海 ;

洪文田 .

中国专利 :CN101414556B ,2009-04-22

[4]

具有多重氮氧化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆叠 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN102714223A ,2012-10-03

[5]

硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅组件及其制作方法 [P].

杨进盛 ;

陈建宏 .

中国专利 :CN104253129A ,2014-12-31

[6]

含多层氧氮化物层的氧化物‑氮化物‑氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

弗雷德里克·詹纳 .

中国专利 :CN106653761A ,2017-05-10

[7]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN111180525A ,2020-05-19

[8]

具有多个氮氧化物层的氧化物氮化物氧化物堆栈 [P].

赛格·利维 ;

克里希纳斯瓦米·库马尔 ;

斐德列克·杰能 ;

萨姆·吉哈 .

中国专利 :CN104321878A ,2015-01-28

[9]

采用氧化物制备氮化物的方法 [P].

陈小龙 ;

宋波 ;

简基康 ;

王刚 ;

许燕萍 .

中国专利 :CN100383035C ,2006-10-25

[10]

硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件 [P].

田尚勋 ;

金桢雨 ;

马东俊 ;

崔圣圭 .

中国专利 :CN100502009C ,2005-09-21

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