一种量子点薄膜及其制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711363562.2

申请日：

2017-12-18

公开(公告)号：

CN109929546A

公开(公告)日：

2019-06-25

发明(设计)人：

杨一行聂志文

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

C09K1102

IPC分类号：

C09K1170 C09K1188 H01L5150 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-25	公开	公开
2019-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/02 申请日:20171218

共 50 条

[1]

量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

庄锦勇 .

中国专利 :CN112342013B ,2021-02-09

[2]

量子点表面配体、量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

曹蔚然 ;

杨一行 ;

向超宇 ;

钱磊 ;

梁柱荣 .

中国专利 :CN109928903A ,2019-06-25

[3]

一种硫化亚锡量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

房永征 ;

刘振宇 ;

刘玉峰 ;

房诗玉 ;

史继超 ;

于成也 ;

李文 ;

周子强 .

中国专利 :CN115571906B ,2024-03-01

[4]

一种硫化亚锡量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

房永征 ;

刘振宇 ;

刘玉峰 ;

房诗玉 ;

史继超 ;

于成也 ;

李文 ;

周子强 .

中国专利 :CN115571906A ,2023-01-06

[5]

量子点薄膜及其制备方法和QLED器件 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109994619A ,2019-07-09

[6]

量子点薄膜及其制备方法和电池器件 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109994612B ,2019-07-09

[7]

量子点薄膜及其制备方法和QLED器件 [P].

程陆玲 ;

杨一行 .

中国专利 :CN109988552A ,2019-07-09

[8]

油墨及其应用和量子点薄膜的制备方法 [P].

李雪 .

中国专利 :CN113045934A ,2021-06-29

[9]

不含阻隔膜的量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

李必兴 ;

骆意勇 ;

龙能文 .

中国专利 :CN114434839A ,2022-05-06

[10]

一种手性钙钛矿量子点薄膜及其制备方法和应用 [P].

刘铭 ;

马志平 ;

周凌云 ;

吴诗珏 ;

冯轶华 ;

李海威 .

中国专利 :CN120173604A ,2025-06-20

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