具有侧面反射层的发光二极管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721685120.5

申请日：

2017-12-06

公开(公告)号：

CN207637833U

公开(公告)日：

2018-07-20

发明(设计)人：

张锺敏金彰渊林栽熙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3344 F21S41141

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

李盛泉;孙昌浩

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-20	授权	授权

共 50 条

[1]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

金材宪 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207529966U ,2018-06-22

[2]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525008A ,2020-08-11

[3]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525007A ,2020-08-11

[4]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108461595B ,2018-08-28

[5]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

中国专利 :CN111788702A ,2020-10-16

[6]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

美国专利 :CN111788702B ,2024-09-24

[7]

具有双反射层的倒装发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李志聪 ;

叶青贤 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN204257692U ,2015-04-08

[8]

具有反射电极的发光二极管 [P].

庄家铭 ;

王振祖 ;

黄惠葵 ;

范慧丽 ;

王安平 .

中国专利 :CN202585519U ,2012-12-05

[9]

一种具有双反射层的发光二极管 [P].

蓝永凌 ;

林兓兓 ;

张家宏 .

中国专利 :CN205666250U ,2016-10-26

[10]

侧面发光二极管 [P].

孙平如 .

中国专利 :CN201289864Y ,2009-08-12

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