具有侧面反射层的发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010361306.5

申请日：

2017-12-06

公开(公告)号：

CN111525008A

公开(公告)日：

2020-08-11

发明(设计)人：

张锺敏金彰渊林栽熙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道安山市

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3322 H01L3350

代理机构：

北京铭硕知识产权代理有限公司 11286

代理人：

习瑞恒;李盛泉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	公开	公开
2020-09-04	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/10 申请日:20171206

共 50 条

[1]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207637833U ,2018-07-20

[2]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN111525007A ,2020-08-11

[3]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN108461595B ,2018-08-28

[4]

具有侧面反射层的发光二极管 [P].

张锺敏 ;

金彰渊 ;

金材宪 ;

林栽熙 .

中国专利 :CN207529966U ,2018-06-22

[5]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

中国专利 :CN111788702A ,2020-10-16

[6]

发光二极管的反射层 [P].

迈克尔·切克 ;

凯文·哈布雷恩 .

美国专利 :CN111788702B ,2024-09-24

[7]

发光二极管 [P].

郭修邑 ;

王德忠 .

中国专利 :CN111446338B ,2020-07-24

[8]

具有钝化层的发光二极管 [P].

扎比内·沃马多普 ;

马库斯·毛特 .

中国专利 :CN105283967B ,2016-01-27

[9]

一种具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及发光二极管 [P].

蔡家豪 ;

马建华 ;

魏峰 ;

陈明浩 ;

吴钊 ;

邱智中 ;

张家宏 .

中国专利 :CN107093655B ,2017-08-25

[10]

具有双反射层的倒装发光二极管芯片 [P].

金豫浙 ;

冯亚萍 ;

张溢 ;

李志聪 ;

叶青贤 ;

孙一军 ;

王国宏 .

中国专利 :CN104409601A ,2015-03-11

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