一种具有侧壁反射层的发光二极管制备方法及发光二极管

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710273545.3
申请日
2017-04-25
公开(公告)号
CN107093655B
公开(公告)日
2017-08-25
发明(设计)人
蔡家豪 马建华 魏峰 陈明浩 吴钊 邱智中 张家宏
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3346
代理机构
代理人
法律状态
公开
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
发光二极管制备方法和发光二极管 [P]. 
王晟 .
中国专利 :CN110828623B ,2020-02-21
[2]
发光二极管以及发光二极管制备方法 [P]. 
王晟 .
中国专利 :CN110707188A ,2020-01-17
[3]
发光二极管制备方法及发光二极管 [P]. 
管成龙 ;
王振阳 ;
杨亮 .
中国专利 :CN119789620A ,2025-04-08
[4]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
王顺 ;
周宇 ;
葛俊飞 ;
楼高铭 ;
李帅 ;
卫婷 ;
尹灵峰 .
中国专利 :CN120302780A ,2025-07-11
[5]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
傅新钧 ;
赵诗嘉 ;
王欢 ;
郭泽文 ;
应丹青 ;
夏章艮 ;
刘传桂 ;
高艳龙 ;
赵驰 .
中国专利 :CN121218751A ,2025-12-26
[6]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN118335877A ,2024-07-12
[7]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN118867080A ,2024-10-29
[8]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN118448541A ,2024-08-06
[9]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
王念 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN119907382A ,2025-04-29
[10]
发光二极管及发光二极管制备方法 [P]. 
兰叶 ;
王江波 ;
朱广敏 ;
吴志浩 ;
张威 .
中国专利 :CN118335877B ,2024-11-12