发光二极管制备方法和发光二极管

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911118821.4

申请日：

2019-11-15

公开(公告)号：

CN110828623B

公开(公告)日：

2020-02-21

发明(设计)人：

王晟

申请人：

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

石慧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20191115
2020-02-21	公开	公开
2020-10-02	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管和发光二极管制备方法 [P].

王晟 .

中国专利 :CN110854246B ,2020-02-28

[2]

发光二极管 [P].

朱涛 ;

宋长伟 ;

芦玲 .

中国专利 :CN117317086B ,2024-05-24

[3]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676277A ,2024-09-20

[4]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406A ,2024-01-16

[5]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637954A ,2024-03-01

[6]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 ;

顾伟 .

中国专利 :CN117637954B ,2024-04-09

[7]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

郑文杰 ;

曹斌斌 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117410406B ,2024-02-20

[8]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN118676277B ,2024-10-29

[9]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

张彩霞 ;

印从飞 ;

程金连 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN116169216B ,2025-08-05

[10]

发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管 [P].

胡加辉 ;

郑文杰 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

金从龙 .

中国专利 :CN119230673B ,2025-04-22

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