发光二极管和发光二极管制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201911119307.2
申请日
2019-11-15
公开(公告)号
CN110854246B
公开(公告)日
2020-02-28
发明(设计)人
王晟
申请人
申请人地址
241000 安徽省芜湖市经济技术开发区纬二次路11号
IPC主分类号
H01L3306
IPC分类号
H01L3332 H01L3300
代理机构
广州华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
石慧
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
发光二极管制备方法和发光二极管 [P]. 
王晟 .
中国专利 :CN110828623B ,2020-02-21
[2]
发光二极管制备方法和发光二极管 [P]. 
焦建军 ;
黄小辉 ;
周德保 ;
郑远志 ;
陈向东 ;
康建 ;
梁旭东 .
中国专利 :CN104112798A ,2014-10-22
[3]
发光二极管及发光二极管制作方法 [P]. 
王世俊 ;
赵秀梅 ;
宋木 ;
李彤 ;
邢振远 ;
王洪占 .
中国专利 :CN118380521A ,2024-07-23
[4]
发光二极管外延片及发光二极管 [P]. 
舒俊 ;
高虹 ;
郑文杰 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN120751847B ,2025-12-05
[5]
发光二极管 [P]. 
张子祥 ;
李士涛 ;
边福强 ;
李森林 ;
胡凯锋 .
中国专利 :CN221176251U ,2024-06-18
[6]
发光二极管 [P]. 
张乾 ;
梁兴华 ;
邱英强 ;
洪灿皇 ;
陈俊鸿 .
中国专利 :CN220382120U ,2024-01-23
[7]
发光二极管 [P]. 
朱涛 ;
宋长伟 ;
芦玲 .
中国专利 :CN117317086B ,2024-05-24
[8]
发光二极管 [P]. 
马蒂亚斯·扎巴蒂尔 ;
西蒙·科楚尔 ;
斯特凡·格勒奇 .
中国专利 :CN102362348A ,2012-02-22
[9]
发光二极管 [P]. 
边福强 ;
耿鑫 ;
李士涛 ;
王思琦 ;
张子祥 ;
曹亚楠 .
中国专利 :CN221961001U ,2024-11-05
[10]
发光二极管外延片及发光二极管 [P]. 
舒俊 ;
高虹 ;
郑文杰 ;
刘春杨 ;
胡加辉 ;
金从龙 .
中国专利 :CN120751847A ,2025-10-03