半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811523009.5

申请日：

2018-12-13

公开(公告)号：

CN111326408B

公开(公告)日：

2020-06-23

发明(设计)人：

时贺光

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21266

IPC分类号：

H01L213105 G03F700

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

徐文欣;吴敏

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	授权	授权
2020-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/266 申请日:20181213
2020-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

刘盼盼 .

中国专利 :CN113053751A ,2021-06-29

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN112542376B ,2025-08-22

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

韩秋华 ;

贺金鹏 ;

王彦 .

中国专利 :CN111696862A ,2020-09-22

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

郑二虎 .

中国专利 :CN112542376A ,2021-03-23

[5]

半导体结构的形成方法 [P].

郑磊 ;

姜东旭 ;

王盼盼 ;

刘超 ;

陆韵峰 .

中国专利 :CN117410170A ,2024-01-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王艳良 .

中国专利 :CN113745108A ,2021-12-03

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵君红 .

中国专利 :CN114141873A ,2022-03-04

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

张城龙 .

中国专利 :CN108122824A ,2018-06-05

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104952730B ,2015-09-30

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN113394288A ,2021-09-14

← 1 2 3 4 5 →