共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910185586.6
申请日：
2019-03-12
公开(公告)号：
CN111696862A
公开(公告)日：
2020-09-22
发明(设计)人：
韩秋华
贺金鹏
王彦
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21311
IPC分类号：
H01L213213
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
徐文欣;吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-09-22 | 公开 | 公开 |
| 2020-10-20 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/311 申请日:20190312 |