实现超大规模集成电路难熔金属硅化物阻挡层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410053420.2

申请日：

2004-08-04

公开(公告)号：

CN1731566A

公开(公告)日：

2006-02-08

发明(设计)人：

陈华伦

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

H01L21318 H01L21314 H01L21311

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2006-04-05	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-02-08	公开	公开
2008-03-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

超大规模集成电路难熔金属硅化物的形成方法 [P].

陈华伦 .

中国专利 :CN100416778C ,2008-09-03

[2]

超大规模集成电路锁 [P].

罗东升 .

中国专利 :CN87210846U ,1988-12-21

[3]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871457A ,2021-12-31

[4]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871459A ,2021-12-31

[5]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871458A ,2021-12-31

[6]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871461A ,2021-12-31

[7]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN110085665B ,2019-08-02

[8]

超大规模集成电路的制造方法 [P].

黄令仪 ;

旷章曲 ;

朱亚江 ;

孟津棣 ;

陈晓东 ;

仇玉林 .

中国专利 :CN1110849C ,2001-01-24

[9]

超晶格超大规模集成电路 [P].

林和 .

中国专利 :CN113871460A ,2021-12-31

[10]

超大规模集成电路的精确电容测量 [P].

董易谕 ;

张克正 ;

米玉杰 ;

刘莎莉 ;

洪连嵘 ;

张智援 .

中国专利 :CN101363882B ,2009-02-11

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