晶片生成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810088340.2

申请日：

2018-01-30

公开(公告)号：

CN108447769A

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

平田和也山本凉兵

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;褚瑶杨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-02-14	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180130
2018-08-24	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

山本凉兵 .

中国专利 :CN108447783A ,2018-08-24

[2]

SiC 晶片的生成方法 [P].

平田和也 .

中国专利 :CN108161215A ,2018-06-15

[3]

晶片的生成方法 [P].

山本凉兵 .

中国专利 :CN111203652B ,2020-05-29

[4]

晶片生成方法 [P].

西野曜子 ;

平田和也 .

中国专利 :CN107464778A ,2017-12-12

[5]

晶片的生成方法 [P].

邱晓明 .

日本专利 :CN113580398B ,2025-10-21

[6]

晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

高桥邦充 ;

西野曜子 .

中国专利 :CN105750741A ,2016-07-13

[7]

晶片的生成方法 [P].

平田和也 ;

西野曜子 ;

高桥邦充 .

中国专利 :CN105862135B ,2016-08-17

[8]

晶片的生成方法 [P].

邱晓明 .

中国专利 :CN113580398A ,2021-11-02

[9]

晶片的生成方法和晶片的生成装置 [P].

山本凉兵 ;

日野原和之 .

日本专利 :CN110277349B ,2024-02-09

[10]

晶片的生成方法和晶片的生成装置 [P].

山本凉兵 .

中国专利 :CN110310887A ,2019-10-08

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