半导体加热元器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201920180938.4

申请日：

2019-01-31

公开(公告)号：

CN209484831U

公开(公告)日：

2019-10-11

发明(设计)人：

李国友杨春华袁崇彬

申请人：

申请人地址：

100000 北京市朝阳区望京利泽中园105号楼3-329室

IPC主分类号：

F24H112

IPC分类号：

F24H902 F24H918 F24H900

代理机构：

成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224

代理人：

陶光雨

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):F24H 1/12 申请日:20190131 授权公告日:20191011 终止日期:20210131
2019-10-11	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体加热元器件 [P].

李国友 ;

杨春华 ;

袁崇彬 .

中国专利 :CN109654719A ,2019-04-19

[2]

半导体加热元器件 [P].

郭健 ;

陈胜雯 ;

王旋 .

中国专利 :CN221930154U ,2024-10-29

[3]

半导体元器件 [P].

曾繁川 ;

苏健泉 ;

戴威亮 .

中国专利 :CN207602548U ,2018-07-10

[4]

半导体元器件 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN101373808B ,2009-02-25

[5]

半导体元器件整形装置 [P].

马磊 ;

党鹏 ;

杨光 ;

彭小虎 ;

王新刚 ;

庞朋涛 .

中国专利 :CN220426641U ,2024-02-02

[6]

一种半导体加热元器件的结构 [P].

梁卫兵 .

中国专利 :CN204014102U ,2014-12-10

[7]

一种半导体加热元器件的结构 [P].

苏妍怡 ;

陈聚亮 ;

陈国伟 .

中国专利 :CN222378444U ,2025-01-21

[8]

半导体元器件的制造方法及半导体元器件 [P].

于绍欣 ;

金兴成 ;

陈晓亮 .

中国专利 :CN110957218A ,2020-04-03

[9]

辐射半导体元器件 [P].

R·布滕代希 ;

N·林德 ;

B·迈尔 ;

I·皮聪卡 .

中国专利 :CN1813359A ,2006-08-02

[10]

半导体单元器件 [P].

李卿 ;

刘红霞 ;

曹鹏辉 ;

黄高中 ;

徐烈伟 ;

俞军 .

中国专利 :CN113764410A ,2021-12-07

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