半导体单元器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010501168.6

申请日：

2020-06-04

公开(公告)号：

CN113764410A

公开(公告)日：

2021-12-07

发明(设计)人：

李卿刘红霞曹鹏辉黄高中徐烈伟俞军

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区国泰路127号复旦国家大学科技园4号楼

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L23528 H01L2348 H01L21768

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

周书敏;张振军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-07	公开	公开
2021-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/092 申请日:20200604

共 50 条

[1]

半导体单元器件 [P].

李卿 ;

刘红霞 ;

曹鹏辉 ;

黄高中 ;

徐烈伟 ;

俞军 .

中国专利 :CN113764410B ,2024-03-26

[2]

半导体元器件 [P].

曾繁川 ;

苏健泉 ;

戴威亮 .

中国专利 :CN207602548U ,2018-07-10

[3]

半导体元器件 [P].

D·埃泽尔特 ;

S·伊勒克 ;

W·施米德 .

中国专利 :CN101373808B ,2009-02-25

[4]

半导体元器件的制造方法及半导体元器件 [P].

于绍欣 ;

金兴成 ;

陈晓亮 .

中国专利 :CN110957218A ,2020-04-03

[5]

辐射半导体元器件 [P].

R·布滕代希 ;

N·林德 ;

B·迈尔 ;

I·皮聪卡 .

中国专利 :CN1813359A ,2006-08-02

[6]

半导体加热元器件 [P].

郭健 ;

陈胜雯 ;

王旋 .

中国专利 :CN221930154U ,2024-10-29

[7]

半导体加热元器件 [P].

李国友 ;

杨春华 ;

袁崇彬 .

中国专利 :CN209484831U ,2019-10-11

[8]

光电半导体元器件 [P].

安杰拉·埃伯哈德 ;

弗兰克·耶尔曼 .

中国专利 :CN103119736A ,2013-05-22

[9]

半导体加热元器件 [P].

李国友 ;

杨春华 ;

袁崇彬 .

中国专利 :CN109654719A ,2019-04-19

[10]

半导体元器件、半导体晶片元器件、半导体元器件的制造方法、及接合结构体的制造方法 [P].

北浦秀敏 ;

古泽彰男 ;

酒谷茂昭 ;

中村太一 ;

松尾隆广 .

中国专利 :CN102422403A ,2012-04-18

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