集成电路芯片及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110243890.9

申请日：

2021-03-05

公开(公告)号：

CN113555343A

公开(公告)日：

2021-10-26

发明(设计)人：

黄信华喻中一陈奎铭

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L23538

IPC分类号：

H01L29778 H01L21683 H01L21768 H01L21335

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/538 申请日:20210305
2021-10-26	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN113555343B ,2024-05-07

[2]

射频集成电路芯片及其形成方法 [P].

朱岩岩 ;

葛洪涛 .

中国专利 :CN104795349B ,2015-07-22

[3]

射频集成电路芯片及其形成方法 [P].

朱岩岩 ;

侯飞凡 .

中国专利 :CN104795350B ,2015-07-22

[4]

集成芯片、集成电路及其形成方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN112447667A ,2021-03-05

[5]

集成芯片、集成电路及其形成方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN112447667B ,2025-03-11

[6]

集成电路芯片以及用于形成集成电路芯片的方法 [P].

王云翔 ;

蔡俊琳 ;

余俊磊 ;

陈柏智 .

中国专利 :CN113314459A ,2021-08-27

[7]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

陈志明 .

中国专利 :CN115701768A ,2023-02-10

[8]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

庄学理 ;

曾国权 ;

陈宛桢 ;

黄昶智 .

中国专利 :CN115425005A ,2022-12-02

[9]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

陈姿妤 ;

朱文定 ;

涂国基 ;

石昇弘 .

中国专利 :CN118574422A ,2024-08-30

[10]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

李宥贤 ;

江彦廷 ;

丁世汎 ;

刘人诚 ;

杨敦年 .

中国专利 :CN115117019A ,2022-09-27

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