射频集成电路芯片及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410025095.2

申请日：

2014-01-20

公开(公告)号：

CN104795350B

公开(公告)日：

2015-07-22

发明(设计)人：

朱岩岩侯飞凡

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

H01L2366

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101621082620 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014100250952 申请日:20140120
2015-07-22	公开	公开
2017-12-01	授权	授权

共 50 条

[1]

射频集成电路芯片及其形成方法 [P].

朱岩岩 ;

葛洪涛 .

中国专利 :CN104795349B ,2015-07-22

[2]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN113555343B ,2024-05-07

[3]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

黄信华 ;

喻中一 ;

陈奎铭 .

中国专利 :CN113555343A ,2021-10-26

[4]

集成电路及其形成方法 [P].

陈奕寰 ;

周建志 ;

亚历山大·卡尔尼斯基 ;

郑光茗 .

中国专利 :CN112018069B ,2020-12-01

[5]

集成芯片、集成电路及其形成方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN112447667A ,2021-03-05

[6]

集成芯片、集成电路及其形成方法 [P].

蔡敏瑛 ;

吴政达 ;

杜友伦 .

中国专利 :CN112447667B ,2025-03-11

[7]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

邓立峯 ;

刘礼荣 .

中国专利 :CN113394274A ,2021-09-14

[8]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

邓立峯 ;

刘礼荣 .

中国专利 :CN113394274B ,2024-07-12

[9]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

陈志明 .

中国专利 :CN115701768A ,2023-02-10

[10]

集成电路芯片及其形成方法 [P].

庄学理 ;

曾国权 ;

陈宛桢 ;

黄昶智 .

中国专利 :CN115425005A ,2022-12-02

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