集成电路及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110276521.X

申请日：

2021-03-15

公开(公告)号：

CN113394274A

公开(公告)日：

2021-09-14

发明(设计)人：

庄学理吴伟成邓立峯刘礼荣

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L29423

IPC分类号：

H01L23538 H01L27088 H01L21768 H01L218234 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/423 申请日:20210315
2021-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

吴伟成 ;

邓立峯 ;

刘礼荣 .

中国专利 :CN113394274B ,2024-07-12

[2]

集成电路及其形成方法 [P].

王柏钧 ;

江庭玮 ;

赖志明 ;

庄惠中 ;

杨荣展 ;

刘如淦 ;

张世明 ;

周雅琪 ;

林义雄 ;

黄禹轩 ;

张玉容 ;

吴国晖 .

中国专利 :CN109427775A ,2019-03-05

[3]

集成电路结构及其形成方法 [P].

李宗霖 ;

叶致锴 ;

张长昀 ;

袁锋 .

中国专利 :CN102074582B ,2011-05-25

[4]

集成电路及其形成方法 [P].

陈奕寰 ;

周建志 ;

亚历山大·卡尔尼斯基 ;

郑光茗 .

中国专利 :CN112018069B ,2020-12-01

[5]

集成电路及其形成方法 [P].

徐丞伯 ;

黄仲仁 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113345902B ,2024-12-24

[6]

集成电路及其形成方法 [P].

徐丞伯 ;

黄仲仁 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN109309051B ,2019-02-05

[7]

集成电路及其形成方法 [P].

徐丞伯 ;

黄仲仁 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113345902A ,2021-09-03

[8]

集成电路及其形成方法 [P].

庄学理 ;

刘铭棋 ;

刘世昌 .

中国专利 :CN111435662A ,2020-07-21

[9]

集成电路的形成方法 [P].

蔡俊雄 ;

苏建彰 ;

李宗鸿 ;

林大文 ;

黄文社 .

中国专利 :CN102130059B ,2011-07-20

[10]

形成集成电路结构的方法 [P].

袁锋 ;

李宗霖 ;

陈宏铭 ;

张长昀 .

中国专利 :CN102054741A ,2011-05-11

← 1 2 3 4 5 →